製造・検査装置

クレステック社製電子描画装置

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クレステック社製電子描画装置

CABL-9000C(50kV)series

通信用半導体レーザーのDFB-LDの生産用に最適なモデル。微細加工性とレジスト感度のバランスがとれた、50kV加速電圧を採用した主力製品です。

ビーム径:2nmΦ以下
最小線幅:10nm以下
加速電圧:50kV, 30kV
ステージ:4インチ, 6インチ, 8インチ対応

クレステック社製電子描画装置
  • 通信用半導体レーザーのDFB-LDの生産用に最適なモデル
  • 従来より一層の簡易操作性と機能性を付加したマルチユーザー対応
  • WindowsベースのオリジナルCADGDSⅡおよびDXFに対応(オプション)
  • 単結晶ZrO/Wを採用したTFE電子銃
  • 加速電圧50kVで2nmの最小ビーム径を実現
  • 高いつなぎ精度、重ね合わせ精度
  • 抜群のビーム電流安定性、ビーム位置安定性
  • フィールドサイズ変調ユニット 特許登録済(0.0012nmの最小アドレスサイズを実現)
  • チャープト周期回折格子の製作も可能
  • 装置恒温システム
子源/加速電圧 TFE(ZrO/W)/5~50kV
電子ビーム径/最小線幅 2.0nm/ 10nm
スキャン方式 ベクタスキャン(x,y)(標準) ベクタスキャン(r,θ)  (オプション) ラスタスキャン,スポットスキャン (オプション)
新描画方式(オプション) フィールドサイズ変調描画,回転対称図形描画
フィールドサイズ 30μm□,60μm□,120μm□,300μm□,600μm□(標準) 1200μm□(オプション)
画素数 20,000×20,000dot,60,000×60,000dot, 960,000×960,000dot @ベクタスキャン(標準) 10,000×10,000dot, 20,000×20,000dot, 60,000×60,000dot @ラスタスキャン(標準)
最小アドレスサイズ 0.625nm@600μm□フィールド(標準) 0.0012nm@600μm□フィールド(FSMオプション)
対応基板サイズ 4,6,8インチΦ
接続精度 50nm(3σ)@600μm□,20nm(2σ)@60μm□
重ね合わせ精度 50nm(3σ)@600μm□
CADソフトウェア オリジナルCAD(標準),GDSⅡコンバージョン(オプション), DXFコンバージョン(オプション)
OS Windows

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