Manufacturing and inspection equipment（中文）

PL图谱分辨仪

Manufacturing and inspection equipment（中文）

PL图谱分辨仪

标准配置
LED╱LD生产用光致发光及外延层厚度测量系统（适用于2、3、4、6英寸外延片）

PL图谱分辨仪

主机规格

基本型号YWAFER-GS6YWAFER-GS6-RTYWAFER-GS6-RYWAFER-GS6-PL
光学可测范围及灵敏度型号一览 UVVIS： 280～850nm
VISNIR： 350～1030nm
UVNIR： 200～1100nm
NIR： 900～1600nm (适用近红外线的冷却InGaAs检波器)
540NIR： 540～1100nm (红色高灵敏性)
UVNIR-HISENS： 200～1100nm (紫外线高灵敏性)
载片尺寸 2、3、4、6英寸
GS6-RDHLD： 1/4截断外延片托盘（选配）
GS6-2.5HLD： 2.5英寸外延片托盘（选配）
GS6-2x3HLD： 2英寸外延片×3配套托盘（选配）
外延片传送方式 手动
映像间隔 0.04mm～(0.1mm 精度)
透射测量 测量项目 平均反射率
外延层厚度（按GaN外延层厚度换算）		 不可使用
精度╱可重复性 1%以内（0.5～50µm的GaN外延层情况下）╱10nm以内 不可使用
反射测量 测量项目 不可使用 平均反射率
外延层厚度（按GaN外延层厚度换算）
表面粗糙度/分散
DBR(分布布拉格反射镜)特性		 不可使用
精度╱可重复性 不可使用 1%以内（0.5～50µm的GaN外延层情况下）╱10nm以内 不可使用
光致发光（PL）测量 测量项目 峰值波长╱相对积分强度╱相对波峰强度╱半值宽（FWHM）╱主波长（CIE波长）
波长分辨率 ～0.3nm（但在UVNIR-HISENS为～0.7nm，NIR为～2.0nm）
光强精度 3%（相对波峰峰强╱相对积分强度•YWafer强度校正功能使用时）
峰值波长反复精度 < 1nm（峰值波长╱半值高）
最小半高宽 – 1.5 nm
PL激起激光种类（最大4台） 266nm、325nm（使用外置光纤）、375nm、405nm、532nm
其它可协商
控制单元 接口 PC-based USB╱数码I/O
运行环境╱语言 搭载Microsoft WindowsTM XP的PC╱日语或英语（用户选择）
其它选配项 GS-SPCFLT : 光衰减及波长滤波器控制
GS-LASFLT : 激光强度滤波器控制
GS-CUSTHLD : 用户样品托盘
GS-TURBOSCAN :高速扫描（仅测PL）

软件

版本 YWaferController v3.06
程序语言 多线程Visual C++
操作模式 操作员、工程师、维护
特点： 清除了内部干涉影响，具有高度再现性的光谱分析。

性能

每张外延片的处理时间 手动装片╱卸片 -20 sec (依赖于操作熟练程度)
标准值（测量值校正用）测量 < 4 sec
参考：测量2英寸外延片时（min：sec）
通常高速（选配）
0.5mm间隔（测量7429点）7:553:26
1.0 mm间隔（测量1868点）2:341:02
2.0 mm间隔（测量468点）0:510:31

操作规范（主机）

运行、设置环境 场所 无尘室（1000～10000级）内
温度 15 – 35℃
湿度 < 85％RH (要求不结露)
尺寸 纵向540×横向640×高度300mm
重量 40 kg
输入电压 AC 100～240 V 50/60 Hz
消耗电力 120W以下

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