LSE-7000 [LEED Corporation（韓国）]
特徴
- インナーおよびアウターコイルによる高均一プラズマの生成
- パーティクル・残留物フリー高排気効率プロセスチャンバー
- 専用交換キットによるクリーニング時間の大幅短縮（＜４ｈｒｓ）
- 消耗部品の大幅削減
概要
韓国LEED Corporation社（旧社名：NEXSO）が開発したICPプラズマ装置（特許取得）により、安定した高密度プラズマが得られハイレートレッチが実現します。研究開発から量産向け装置として、Poly-Si, Si トレンチの半導体に留まらず、MEMS、化合物半導体などに対応出来る様に設計されており、アプリケーションに応じて、複数枚同時処理が可能です。
システム構成例
| エッチングデーター | |
|---|---|
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| Siトレンチエッチング Oxideマスク | Siディープエッチング |
| 深さ3.2μm 開口 1μm | 各種エッチング例 |
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| GaAsエッチング | WEBプロセス |
| 垂直、テーパーエッチング | 残留物フリー、No Plug Recess |
| 製品仕様 | |
|---|---|
| ウェハサイズ | 2”, 3”, 4”, 5”, 6”, 8 |
| アプリケーション | MEMS device Si Deep Trench GaAs/GaN |
| 処理方式 基板ホルダー プラズマソース プロセス室 排気系 MTTR、MTBF |
枚葉処理 静電チャック 常温（標準） ICPソース（高周波誘導結合プラズマ） 大排気量ターボ分子ポンプ&ドライポンプ ロードロック室・トランスファー室 独立排気系 MTTR＜1H 、MTBF＞168H(RF on) |
| エッチングレート | Si-sub : 20um/min GaAs-sub : 4um/mi |
