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DBD4600S [TOSOK社]

アイテム 仕様
ボンディング方式 エポキシ方式、または共晶方式、DAF
チップサイズ Min.□0.2mm-Max.□3.0mm
ボンディング精度 XY = ±35μm(1.5mils), 3sigma
ボンディング荷重 0.3N-1.2N(5N)
対応ワーク 短冊状プラスチックリードフレーム、キャリアテープ
リードフレーム幅、長さ 幅 : -60mm
ウェーハサイズ 長さ : 150-260mm
最大φ8''まで対応可能
マシンサイクルタイム 0.35秒/chip(エポキシドッティング)
0.25秒/chip(共晶)
搬送方法 送りピン方式、又はグリッパ搬送方式(Epoxy専用)
ローダ マルチマガジン(標準)/吸着スタッカ
アンローダ マルチマガジン
外形寸法 2,200(W)×1,250(D)×1,880(H)mm
質量 約 1,000kg
必要設備 電源:AC200-240V±5%、50/60Hz
Max.25A(5kVA) 主電源:10A、ヒータ電源:15A

真空源:-73.3kPa以上
N2ガス:0.4Mpa以上
エアー:0.2Mpa以上
オプション
  • バキュームクランプや裏面認識搭載による高精度ボンディング
  • 衝撃荷重を最小限に抑える板バネボンドヘッド
  • θコントロールを可能にする新型ロータリーボンドヘッド
  • Post bond認識、Wafer map対応により生産ロス削減に貢献
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ページ番号:JSO-C006

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